主要技術(shù)指標(biāo)：

※  溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）

※  控溫精度：±1℃

※  溫度分辨率：0.1℃

※  樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）

※  樣品溫度：精圓上單獨(dú)放一個(gè)溫度計(jì)，測量精圓表面溫度（溫度計(jì)封裝在鍍金無氧銅塊內(nèi)，銅塊與精圓接觸測溫，使用比較細(xì)的軟線方便移動(dòng)與測量）

※  磁場強(qiáng)度：＞1000oe（樣品測試處磁場）

※  持續(xù)工作時(shí)間：5小時(shí)

※  樣品臺尺寸：210mm （根據(jù)實(shí)際可更改，不小于8英寸），

※  樣品臺采用三維移動(dòng)方式，移動(dòng)行程:±110mm,移動(dòng)精度：10um

※  樣品臺主要零部件材質(zhì)均為上等無磁合金制作；

※  在室溫到350度，升溫速率優(yōu)于10K/min，*高加熱溫度350℃；控溫精度：±1℃；

※  加熱時(shí)，加熱絲被封裝在石英管內(nèi)，極大程度的減少由于加熱絲的揮發(fā)造成樣品表面附著物的污染；

※  匹配磁鐵電源：雙極性，穩(wěn)定度優(yōu)于±25ppm/h，平滑過零無斷點(diǎn)；

※  匹配電磁鐵：長時(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定度<±0.5Gs；

※  冷卻方式：自然冷卻。